7.5.3 双极型晶体三极管

（一）基本结构

半导体三极管(简称晶体管)是在一块半导体上生成两个pn结组成，有npn和pnp两大类型，其结构和符号如下图

由图可见，它们有三个区，分别称为发射区、基区和集电区。三个区各引出一个电极，分别称为发射极e、基极b、集电极c。发射区和基区之间形成的pn结称发射结，基区和集电区之间的pn结称集电结。晶体管制造工艺的特点是：发射区掺杂浓度高，基区很薄且掺杂浓度很低，集电区掺杂浓度低且结面积比发射结大。这些特点是晶体管具有电流放大能力的内部条件。

（二）晶体管的放大原理

1、晶体管的工作状态及其外部条件

（1）开关状态  （2）放大状态

晶体管处于放大状态的条件：为了使晶体管具有放大作用，除了结构上的条件外，还必须有合适的外部条件。这就是要求外加电压使发射结正偏，集电结反偏。根据偏置要求，外加直流电源与管子的连接方式如下图所示。

                     npn型                    pnp型

2．晶体管内部载流子的传输过程：晶体管在放大电路中有三种连接方式(或称组态)，即共发射极、共基极和共集电极接法，如下图所示。

3、晶体管处于放大状态的电路配置及相关计算

（1）固定偏置方案

（2）分压式偏置方案

（3）偏置方案3

3、晶体管处于放大状态时的小信号模型

 

7.5.4 共射极放大电路

1、获取晶体管放大电路的“小信号模型”方法

2、固定偏执放大电路的电压放大能力

3、分压式偏执放大电路的电压放大能力

（1）含旁路电容   （2）不含旁路电容