环境影响评价师

2.总平面布置

厂区总平面效果图见图1。

二、环境概况

1. 地理位置

厂址位于北京经济技术开发区(BDA) 41、47号地块，征地面积240 030 m2， 其中41号地块面积136 754 m2、47号地块面积103 276 m2，见图2。

2. 环境质量

本项目对芯片加工类的特征空气污染物、地下水特征污染物和土壤特征污染物 进行了监测。环境空气监测了氟化物、氯化氢、氨气、氯气、硫酸雾、非甲烷总烃共6项;地下水环境监测，W、B共2项;土壤监测了砷(As)、硼(B)、氟(F) 和钨(W)共4项。通过监测结果可以看出环境本底较好，没有超标的污染项。

3. 厂址选择合理性分析

由于中国与发达国家相比，在关键技术如软件、集成电路和新型元器件等方面 相对落后，CPU芯片和存储器的设计与制造能力薄弱，电讯、通讯市场将是首先受到入关冲击的领域之一。因此，我国的信息产业政策中有很重要的一条，就是中国 鼓励外资进入信息产业，希望信息产业的外商投资企业进一步提高技术档次，扩大 投资规模。深亚微米工艺技术已是国际上的主流生产技术，本项目的实施可以推广

在国内微电子技术的升级发展，提高电子产品开发、生产，并会促进我国集成电路 产业走向国际。因此，该项目的性质完全符合国家信息产业发展规划和政策。本项 目为高科技、高附加值的集成电路行业，项目地址位于北京市经济技术开发区内。在北京市“十五”时期工业发展规划的产业布局调整目标中明确指出：“北京经济技 术开发区：建设成北京现代制造业的窗口基地”，该项目的选址符合北京市“十五” 时期工业发展规划的产业布局，与加速发展高新技术产业的发展方向高度是一致的。根据本项目的规模，可以确信，本项目是实现北京市“十五”时期工业发展规划的 极其重要的项目之一。

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图2评价范围及周边环境关系

三、工程分析

(一)工艺流程

1.工艺技术方案的确定

本项目的技术发展和集成电路制造的重点将以互补金属氧化物半导体(CMOS) 工艺为主。芯片生产工序主要有外购硅片清洗、氧化(Si + 02—Si02)、光刻、蚀刻、 扩散、离子植入、化学气相沉积、金属化、后加工等九部分。

全厂生产总流程图见图3,图中展示了所有生产厂房的功能(工艺生产区域、 支持区域)和相互之间的原则关系。在生产厂房中的工艺生产区域中，产品在通过产品质量检测流至支持区域后道工序前，某些工艺步骤将被重复多次。

2.生产流程及排污节点分析

生产工艺流程和“三废”排放节点示意图，见图4。